Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G3R75MT12D

G3R75MT12D
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
G3R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
29A
Pulsed drain current
80A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG3R75MT12D
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyG3R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current29A
Pulsed drain current80A
Power dissipation207W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...15V
On-state resistance75mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W

Документация

Документ производителя