Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G3R450MT17D

G3R450MT17D
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
G3R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
6 A
Pulsed drain current
16 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG3R450MT17D
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияG3R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current6 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation88 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...15 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W

Документация

Документ производителя