GENESIC SEMICONDUCTOR
Транзистор G3R40MT12K
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- G3R™, SiC
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 50 A
- Pulsed drain current
- 140 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 3 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%2 883,13 ₽
Сумма · с НДС 22%2 883,13 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 2 883,13 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | G3R40MT12K |
|---|---|
| Производитель | GENESIC SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | G3R™, SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 50 A |
| Pulsed drain current | 140 A |
| Power dissipation | 333 W |
| Корпус | TO247-4 |
| Gate-source voltage | -5...15 V |
| On-state resistance | 40 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 106nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.