Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G3R40MT12K

G3R40MT12K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
G3R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
50 A
Pulsed drain current
140 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 883,13 ₽

Сумма · с НДС 22%2 883,13 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 883,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG3R40MT12K
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияG3R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current50 A
Pulsed drain current140 A
Power dissipation333 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...15 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge106nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W

Документация

Документ производителя