Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G3R350MT12D

G3R350MT12D
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
G3R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
8 A
Pulsed drain current
16 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG3R350MT12D
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyG3R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current8 A
Pulsed drain current16 A
Power dissipation74 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...15 V
On-state resistance0.35 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge12nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W

Документация

Документ производителя