Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G3R30MT12J

G3R30MT12J
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
G3R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
68 A
Pulsed drain current
200 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG3R30MT12J
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияG3R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current68 A
Pulsed drain current200 A
Рассеиваемая мощность459 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-5...15 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W

Документация

Документ производителя