Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G3R20MT17K

G3R20MT17K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
G3R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
88 A
Pulsed drain current
300 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG3R20MT17K
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияG3R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current88 A
Pulsed drain current300 A
Power dissipation809 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...15 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge400nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W

Документация

Документ производителя