GENESIC SEMICONDUCTOR
Транзистор G3R20MT12N
- Type of semiconductor module
- MOSFET transistor
- Semiconductor structure
- single transistor
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 74 A
- Корпус
- SOT227B
- Electrical mounting
- screw
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 63 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%11 166,05 ₽
Сумма · с НДС 22%11 166,05 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 11 166,05 ₽ | |
| от 5 | 10 729,08 ₽ | |
| от 10 | 10 526,54 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | G3R20MT12N |
|---|---|
| Производитель | GENESIC SEMICONDUCTOR |
| Type of semiconductor module | MOSFET transistor |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 74 A |
| Корпус | SOT227B |
| Electrical mounting | screw |
| Polarisation | unipolar |
| On-state resistance | 20 mΩ |
| Pulsed drain current | 240 A |
| Рассеиваемая мощность | 365 W |
| Технология | G3R™, SiC |
| Kind of channel | enhancement |
| Gate-source voltage | -5...15 V |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.