Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G3R20MT12K

G3R20MT12K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
G3R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
90 A
Pulsed drain current
240 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG3R20MT12K
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияG3R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current90 A
Pulsed drain current240 A
Power dissipation542 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-5...15 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge219nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W

Документация

Документ производителя