Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G3R160MT17D

G3R160MT17D
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
G3R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
15 A
Pulsed drain current
48 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 121 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%2 360,75 ₽

Сумма · с НДС 22%2 360,75 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 360,75 ₽
от 102 127,93 ₽
от 302 068,37 ₽
от 1201 893,30 ₽
от 2401 651,45 ₽
от 7501 620,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG3R160MT17D
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияG3R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current15 A
Pulsed drain current48 A
Рассеиваемая мощность175 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...15 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge21nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W

Документация

Документ производителя