Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G3R160MT12D

G3R160MT12D
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
G3R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
16 A
Pulsed drain current
40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 791 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 298,01 ₽

Сумма · с НДС 22%1 298,01 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 298,01 ₽
от 31 202,21 ₽
от 301 095,14 ₽
от 510991,83 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG3R160MT12D
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияG3R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current16 A
Pulsed drain current40 A
Рассеиваемая мощность123 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...15 V
On-state resistance0.16 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge28nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W

Документация

Документ производителя