Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G3K8N15KE

G3K8N15KE
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
20 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG3K8N15KE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current6 A
Рассеиваемая мощность20 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 150V; 6A; 20W; TO252; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.