Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G3K8N15HE

G3K8N15HE
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
2 A
Power dissipation
2.16 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG3K8N15HE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current2 A
Power dissipation2.16 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 150V; 2A; 2.16W; SOT223; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.