Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G370P10K

G370P10K
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-34 A
Рассеиваемая мощность
94 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 395 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%215,56 ₽

Сумма · с НДС 22%215,56 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1215,56 ₽
от 10128,62 ₽
от 25112,99 ₽
от 100101,13 ₽
от 50095,03 ₽
от 100088,74 ₽
от 250082,45 ₽
от 500080,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG370P10K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-34 A
Рассеиваемая мощность94 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge98nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -34A; 94W; TO252

Документация

Документ производителя