Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G350P02LLE

G350P02LLE
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-4.5 A
Рассеиваемая мощность
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG350P02LLE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-4.5 A
Рассеиваемая мощность1.4 W
КорпусSOT23-6
Gate-source voltage±10 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17.2nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.5A; 1.4W; SOT23-6

Документация

Документы пока не предоставлены.