Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G3416

G3416
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
6A
Power dissipation
1.3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG3416
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current6A
Power dissipation1.3W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 6A; 1.3W; SOT23; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.