GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G33N03D52

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 33 A
Power dissipation: 29 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G33N03D52
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	33 A
Power dissipation	29 W
Корпус	DFN5x6-8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	20nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 33A; 29W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.