Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G33N03D3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
28 A
Power dissipation
13 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG33N03D3
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current28 A
Power dissipation13 W
КорпусDFN3x3-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 28A; 13W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.