Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G30N04D3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
30A
Power dissipation
50W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG30N04D3
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current30A
Power dissipation50W
КорпусDFN3x3-8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 30A; 50W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.