GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G30N03D3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 25W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G30N03D3
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	42A
Power dissipation	25W
Корпус	DFN3x3-8
Gate-source voltage	±20V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	13nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 42A; 25W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.