Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G3035L

G3035L
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-4.1A
Power dissipation
1.4W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG3035L
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-4.1A
Power dissipation1.4W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.1A; 1.4W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.