Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G3035

G3035
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-4.6 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG3035
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-4.6 A
Power dissipation1.4 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.6A; 1.4W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.