Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G300P06T

G300P06T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-40 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 998 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%204,42 ₽

Сумма · с НДС 22%204,42 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1204,42 ₽
от 10139,53 ₽
от 50125,28 ₽
от 200110,28 ₽
от 500100,34 ₽
от 100093,58 ₽
от 200086,83 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG300P06T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-40 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge49nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -40A; 50W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.