Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G300N04D3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
6 A
Power dissipation
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG300N04D3
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current6 A
Power dissipation1.25 W
КорпусDFN3x3-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 6A; 1.25W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.