Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G300C03L6

G300C03L6
Type of transistor
N/P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30V
Drain current
5.6/-4.2A
Power dissipation
1.4/1.2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG300C03L6
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30V
Drain current5.6/-4.2A
Power dissipation1.4/1.2W
КорпусSOT23-6
Gate-source voltage±12V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16/8.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 30/-30V; 5.6/-4.2A

Документация

Документы пока не предоставлены.