Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G2R120MT33J

G2R120MT33J
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
G2R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
3.3 kV
Корпус
TO263-7
On-state resistance
0.12 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG2R120MT33J
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияG2R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage3.3 kV
КорпусTO263-7
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7

Документация

Документы пока не предоставлены.