Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G2R1000MT33J

G2R1000MT33J
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
G2R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
3.3 kV
Drain current
4 A
Pulsed drain current
8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG2R1000MT33J
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияG2R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage3.3 kV
Drain current4 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation74 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-5...20 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7

Документация

Документ производителя