Антава

GENESIC SEMICONDUCTOR

Транзистор G2R1000MT17J

G2R1000MT17J
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
G2R™, SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7kV
Drain current
4A
Pulsed drain current
8A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG2R1000MT17J
ПроизводительGENESIC SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyG2R™, SiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7kV
Drain current4A
Pulsed drain current8A
Power dissipation54W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7

Документация

Документ производителя