Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G2K8P15S

G2K8P15S
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150V
Drain current
-2.2A
Power dissipation
2.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG2K8P15S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150V
Drain current-2.2A
Power dissipation2.5W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.