Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G2K8P15K

G2K8P15K
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150 V
Drain current
-12 A
Power dissipation
59 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG2K8P15K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150 V
Drain current-12 A
Power dissipation59 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -150V; -12A; 59W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.