Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G2K6P25T

G2K6P25T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-250 V
Drain current
-28 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG2K6P25T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-250 V
Drain current-28 A
Power dissipation300 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge77nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -250V; -28A; 300W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.