Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G2K3N10L6

G2K3N10L6
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3 A
Power dissipation
1.67 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG2K3N10L6
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current3 A
Power dissipation1.67 W
КорпусSOT23-6
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.67W; SOT23-6

Документация

Документы пока не предоставлены.