Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G2K3N10H

G2K3N10H
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2 A
Рассеиваемая мощность
2.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG2K3N10H
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2 A
Рассеиваемая мощность2.4 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 2A; 2.4W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.