GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G2K2P10D3E

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100 V
Drain current: -10 A
Power dissipation: 31 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G2K2P10D3E
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-100 V
Drain current	-10 A
Power dissipation	31 W
Корпус	DFN3x3-8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	33nC
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -10A; 31W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.