Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G29

G29
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-15 V
Drain current
-4.1 A
Power dissipation
1.05 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG29
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-15 V
Drain current-4.1 A
Power dissipation1.05 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.8nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -15V; -4.1A; 1.05W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.