Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G26P04K

G26P04K
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40V
Drain current
-26A
Power dissipation
50W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG26P04K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-26A
Power dissipation50W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -26A; 50W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.