Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G26P04D5

Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-26 A
Power dissipation
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG26P04D5
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-26 A
Power dissipation50 W
КорпусDFN5x6-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -26A; 50W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.