Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G23N06K

G23N06K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
23 A
Power dissipation
38 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG23N06K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current23 A
Power dissipation38 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 23A; 38W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.