Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G230P06T

G230P06T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-60 A
Power dissipation
115 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG230P06T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-60 A
Power dissipation115 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge62nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -60A; 115W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.