Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G230P06S

G230P06S
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-9A
Power dissipation
3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG230P06S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-9A
Power dissipation3W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -9A; 3W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.