GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G220P03D32

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 30W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G220P03D32
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET x2
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-12A
Power dissipation	30W
Корпус	DFN3x3-8
Gate-source voltage	±20V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	25nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -12A; 30W

Документация

Документы пока не предоставлены.