GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G20N06D52

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 20 A
Power dissipation: 48 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G20N06D52
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	20 A
Power dissipation	48 W
Корпус	DFN5x6-8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	25nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 20A; 48W; DFN5x6-8

Документация

Документы пока не предоставлены.