Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G200N06TH

G200N06TH
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
55A
Power dissipation
60W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG200N06TH
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current55A
Power dissipation60W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge45nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 55A; 60W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.