Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G200N03S2

G200N03S2
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
7 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%200,01 ₽

Сумма · с НДС 22%200,01 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1200,01 ₽
от 10122,53 ₽
от 2570,27 ₽
от 10042,34 ₽
от 50037,12 ₽
от 100033,51 ₽
от 400029,01 ₽
от 800027,03 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG200N03S2
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current7 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 7A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.