Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1NP02LLE

G1NP02LLE
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20/-20 V
Drain current
1.3/-1.1 A
Power dissipation
1.25/1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG1NP02LLE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20/-20 V
Drain current1.3/-1.1 A
Power dissipation1.25/1.25 W
КорпусSOT23-6
Gate-source voltage±10 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1/1.22nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 1.3/-1.1A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.