Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1K8P06S2

G1K8P06S2
Type of transistor
P-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-3.2 A
Power dissipation
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG1K8P06S2
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-3.2 A
Power dissipation2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.3nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -60V; -3.2A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.