Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1K3N10LL

G1K3N10LL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3.4 A
Power dissipation
2.28 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG1K3N10LL
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current3.4 A
Power dissipation2.28 W
КорпусSOT23-6
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3.4A; 2.28W; SOT23-6

Документация

Документы пока не предоставлены.