Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1K3N10G

G1K3N10G
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
5 A
Рассеиваемая мощность
1.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG1K3N10G
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current5 A
Рассеиваемая мощность1.6 W
КорпусSOT89
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 5A; 1.6W; SOT89

Документация

Документы пока не предоставлены.