Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1K1P10TE

G1K1P10TE
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-24 A
Power dissipation
88 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG1K1P10TE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-24 A
Power dissipation88 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge65nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -24A; 88W; TO220; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.