Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1K1P06SH

G1K1P06SH
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-4 A
Power dissipation
1.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG1K1P06SH
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-4 A
Power dissipation1.2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -4A; 1.2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.