Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1K1P06HH

G1K1P06HH
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-4.5 A
Power dissipation
3.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG1K1P06HH
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-4.5 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -4.5A; 3.1W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.